长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产
<div class="txtinfos" id="ContentBody" style="margin-top:0;"><!-- EM_StockImg_Start --><p style="text-align:center;"><atarget="_blank" href="http://quote.eastmoney.com/unify/r/1.688825" data-code="688825|1|1" data-code2="688825|1|23|" class="EmImageRemark" target="_blank"><img src="https://webquoteklinepic.eastmoney.com/GetPic.aspx?nid=1.688825&imageType=k&token=28dfeb41d35cc81d84b4664d7c23c49f&at=1" border="0" alt="K图 688825_0" data-code="K 688825|1|1" data-code2="K 688825|1|23|" style="border:#d1d1d1 1px solid;" width="578" height="276" /></a></p><!-- EM_StockImg_End --><center><img src="https://np-newspic.dfcfw.com/download/D25253583833605913334_w1024h576.jpg" width="580" emheight="326" orginial_src="https://np-newspic.dfcfw.com/download/D25253583833605913334_w1024h576_o.jpg" /></center><p> 9月20日，在2026世界制造业大会上，<span id="stock_1.688825"><atarget="_blank" href="http://quote.eastmoney.com/unify/r/1.688825" class="keytip" data-code="1,688825">长鑫科技</a></span><span id="quote_1.688825"></span>宣布第五代技术平台正式量产。</p><p> 据介绍，<span web="1"target="_blank" href="http://quote.eastmoney.com/unify/r/1.688825" class="em_stock_key_common" data-code="1,688825">长鑫科技</span>将内存阵列有源区半间距做到11.95纳米，存储器电容深宽比45:1，核心动能区高度降至6762纳米，同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了50%以上。基于该平台打造的24GB LPDDR5X产品已经进入正式量产，全面进入国产主流旗舰手机。</p><p class="em_media">（文章来源：澎湃新闻）</p> <!-- 正文中部 内嵌广告 -->
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